(시사캐스트, SISACAST= 박민영 기자)
삼성전자가 2030년까지 시스템 반도체 분야 연구개발 및 생산시설 확충에 133조원을 투자하고, 전문인력 1만 5천명을 채용한다.
이는 삼성전자가 2030년까지 메모리 반도체 뿐만 아니라 시스템 반도체 분야에서도 글로벌 1위를 달성하겠다는 '반도체 비전 2030'을 달성하기 위한 것이다.
먼저 시스템 반도체 사업경쟁력 강화를 위해 국내 R&D 분야에 73조원, 최첨단 생산 인프라에 60조원을 투자한다.
향후 화성캠퍼스 신규 EUV라인을 활용해 생산량을 증대하고, 국내 신규 라인 투자도 지속 추진할 계획이다.
이와 함께 기술경쟁력 강화를 위해서 시스템 반도체 R&D 및 제조 전문인력 1만 5천명을 채용할 계획이다.
삼성전자는 또한 시스템 반도체 인프라와 기술력을 공유해 팹리스(Fabless, 반도체 설계 전문업체), 디자인하우스(Design House, 설계 서비스 기업) 등 국내 시스템 반도체 생태계의 경쟁력을 강화할 방침이다.
국내 중소 팹리스 고객들이 제품 경쟁력을 강화하고 개발기간도 단축할 수 있도록 인터페이스IP, 아날로그 IP, 시큐리티(Security) IP 등 삼성전자가 개발한 IP(Intellectual Property, 설계자산)를 호혜적으로 지원한다.
아울러 보다 효과적으로 제품을 개발할 수 있도록 삼성전자가 개발한 설계·불량 분석 툴(Tool) 및 소프트웨어 등도 지원할 계획이다.
또한 국내 중소 팹리스 업체의 개발활동에 필수적인 MPW(Multi-Project Wafer)프로그램을 공정당 년 2~3회로 확대 운영하고, 국내 디자인하우스 업체와의 외주협력도 확대해 나갈 계획이다.
삼성전자는 과감하고 선제적인 투자와 국내 중소업체와의 상생협력을 통해 한국 시스템 반도체산업 발전에 앞장설 계획이다.
[사진제공=삼성전자]
